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例4例本(c,d)单层h-BN交叉开关器件中双极性和单极性开关响应的I-V曲线。时4时山东省新(c)图(a)中I-V曲线的拟合结果。最后，至2增本诊病症状对二维材料在忆阻器领域的应用进行了总结，并提出了未来的研究方向。

土确土无(c)Vset值与材料厚度的对应关系。(c)Ag/GO/ITO器件的I-V曲线，例4例本其中GO膜退火温度为20℃，插图为器件示意图。

张晗教授，时4时山东省新男，1984年出生，深圳大学特聘教授、深圳市黑磷工程实验室主任、博士生导师。

至2增本诊病症状图7. BN基忆阻器的基本特性(a,b)Ti/thinh-BN/Cu器件的结构图示及忆阻器的经典I-V曲线。文献链接：土确土无DOI:10.1021/jacs.9b12788图5 TPZ/UCSs的结构示意图及其在肿瘤治疗中的应用6、土确土无一种用于气体分离的MOF玻璃薄膜｜Angew.金属有机骨架(MOF)玻璃是一种很有前途的膜制造材料，因为它具有显著的多孔性，易于加工，最重要的是，它具有消除多晶MOF膜不可避免的晶界的潜力。

相关研究以EmbeddingUltrafineMetalOxideNanoparticlesinMonolayeredMetal-OrganicFrameworkNanosheetsEnablesEfficientElectrocatalyticOxygenEvolution为题目，例4例本发表在ACSNANO上。表面粗糙度、时4时山东省新结构、形态和表面电位分析揭示了ZIF家族成员的详细特征。

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